Fortæl dine venner om denne vare:
Kristally Ge-si I Ikh Svoystva: Poluchenie I Elektricheskie Svoystva Tvyerdykh Rastvorov Ge-si, Slozhnolegirovannykh Primesyami Medi, Indiya I Sur'my Russian edition
Vyusalya Kazimova
Bestilles fra fjernlager
Kristally Ge-si I Ikh Svoystva: Poluchenie I Elektricheskie Svoystva Tvyerdykh Rastvorov Ge-si, Slozhnolegirovannykh Primesyami Medi, Indiya I Sur'my Russian edition
Vyusalya Kazimova
V rabote predstavleny rezul'taty issledovaniy po polucheniyu slozhnolegirovannykh kristallov Ge-Si, s zadannym sostavom i kontsentratsiey primesey medi, indiya i sur'my, a takzhe po elektrotransportnym svoystvam i spektru primesnykh sostoyaniy v etikh materialakh. V priblizhenii polnost'yu razmeshennogo rasplava, reshena teoreticheskaya zadacha po kontsentratsionnomu raspredeleniyu osnovnykh komponentov i primesey v kristallakh tvyerdykh rastvorov, vyrashchennykh iz rasplava konservativnymi i nekonservativnymi metodami. Pokazano, chto poluchennye matematicheskie sootnosheniya udovletvoritel'no opisyvayut eksperimental'nye dannye po raspredeleniyu komponentov i primesey indiya i sur'my v kristallakh germaniy-kremniy. Razrabotany metodiki vyrashchivaniya i legirovaniya primesyami In i Sb kristallov Ge-Si (0?kh?0,30) s zadannoy kontsentratsiey primesey metodom napravlennogo kontsentratsionnogo pereokhlazhdeniya i konservativnym metodom Bridzhmena. Ustanovleno, chto koeffitsienty segregatsii issledovannykh primesey izmenyayutsya lineyno s sostavom tvyerdykh rastvorov germaniy-kremniy.
Medie | Bøger Paperback Bog (Bog med blødt omslag og limet ryg) |
Udgivet | 8. maj 2013 |
ISBN13 | 9783659388248 |
Forlag | LAP LAMBERT Academic Publishing |
Antal sider | 152 |
Mål | 150 × 9 × 225 mm · 231 g |
Sprog | Russisk |
Se alt med Vyusalya Kazimova ( f.eks. Paperback Bog )